[发明专利]一种掩膜板以及阵列基板的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810118059.9 申请日: 2018-02-06
公开(公告)号: CN108319105A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 杨妮;齐智坚 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: G03F1/38 分类号: G03F1/38;H01L21/77
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种掩膜板及阵列基板的制备方法,通过在掩膜板用于形成半过孔的掩膜图形内设置至少一个功能部,该功能部与半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应,用于在形成半过孔的过程中,在待刻蚀的基板上与深孔区域和浅孔区域的交界处相对应的位置保留光刻胶,且该位置的光刻胶的厚度小于非半过孔位置的光刻胶的厚度;在刻蚀半过孔的过程中,深孔区域和浅孔区域的交界处先刻蚀到光刻胶,在半过孔刻蚀完成前保证残留的光刻胶刻蚀不会过早消耗完,从而避免底切现象,覆盖半过孔的电极层可以与深孔区域的电极层和浅孔区域的金属层牢固连接,从而保证信号的有效转接,无需要增大半过孔外围电极层的连接宽度,从而提升像素开口率及面板透过率。
搜索关键词: 光刻胶 刻蚀 浅孔 深孔 交界处 掩膜板 阵列基板 电极层 功能部 制备 像素开口率 过孔位置 牢固连接 外围电极 位置保留 掩膜图形 转接 金属层 透过率 底切 基板 残留 保证 消耗 覆盖
【主权项】:
1.一种掩膜板,包括用于在待刻蚀的基板上形成半过孔的掩膜图形,其特征在于,所述掩膜图形内设置有至少一个功能部,所述功能部与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应,用于在形成所述半过孔的过程中,在所述基板上与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应的位置保留光刻胶,且所述位置的光刻胶的厚度小于非半过孔位置的光刻胶的厚度,以使所述交界处相对应位置的光刻胶在半过孔的刻蚀过程中能够同时被刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810118059.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top