[发明专利]一种掩膜板以及阵列基板的制备方法在审
申请号: | 201810118059.9 | 申请日: | 2018-02-06 |
公开(公告)号: | CN108319105A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 杨妮;齐智坚 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种掩膜板及阵列基板的制备方法,通过在掩膜板用于形成半过孔的掩膜图形内设置至少一个功能部,该功能部与半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应,用于在形成半过孔的过程中,在待刻蚀的基板上与深孔区域和浅孔区域的交界处相对应的位置保留光刻胶,且该位置的光刻胶的厚度小于非半过孔位置的光刻胶的厚度;在刻蚀半过孔的过程中,深孔区域和浅孔区域的交界处先刻蚀到光刻胶,在半过孔刻蚀完成前保证残留的光刻胶刻蚀不会过早消耗完,从而避免底切现象,覆盖半过孔的电极层可以与深孔区域的电极层和浅孔区域的金属层牢固连接,从而保证信号的有效转接,无需要增大半过孔外围电极层的连接宽度,从而提升像素开口率及面板透过率。 | ||
搜索关键词: | 光刻胶 刻蚀 浅孔 深孔 交界处 掩膜板 阵列基板 电极层 功能部 制备 像素开口率 过孔位置 牢固连接 外围电极 位置保留 掩膜图形 转接 金属层 透过率 底切 基板 残留 保证 消耗 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜板,包括用于在待刻蚀的基板上形成半过孔的掩膜图形,其特征在于,所述掩膜图形内设置有至少一个功能部,所述功能部与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应,用于在形成所述半过孔的过程中,在所述基板上与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应的位置保留光刻胶,且所述位置的光刻胶的厚度小于非半过孔位置的光刻胶的厚度,以使所述交界处相对应位置的光刻胶在半过孔的刻蚀过程中能够同时被刻蚀。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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