[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法

摘要

本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：半导体衬底及其第一表面上的第二外延层；第一埋层，向半导体衬底内延伸；第二埋层，第一部分向半导体衬底内延伸、第二部分向第一埋层内延伸；第一隔离区，向第二外延层内延伸以限定第一隔离岛和第二隔离岛；第二隔离区，向第二外延层内延伸，第一部分在第一隔离岛内限定第三隔离岛，第二部分与第二埋层的第一部分相连；第一阱区，一部分向第三隔离岛内延伸、另一部分通过第一隔离区与第一埋层相连；延伸至第二隔离岛内的第二阱区，与第一阱区的第一部分电相连。本发明提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其中，包括：第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底作为第二电极引出；第一掺杂类型的第二外延层，设置于所述半导体衬底的第一表面之上；第二掺杂类型的第一埋层，从所述半导体衬底的第一表面向所述半导体衬底内延伸，所述第一埋层包括第一部分和第二部分；第一掺杂类型的第二埋层，包括第一部分和第二部分，所述第二埋层的第一部分从所述半导体衬底的第一表面向所述半导体衬底内延伸，所述第二埋层的第二部分从所述第一埋层的第一部分向所述第一埋层内延伸；第二掺杂类型的第一隔离区，所述第一隔离区从所述第二外延层的上表面向所述第二外延层内延伸，所述第一隔离区的一部分与所述第一埋层的第一部分相连以在所述第二外延层内限定出第一隔离岛，所述第一隔离区的另一部分与所述第一埋层的第二部分相连以在所述第二外延层内限定出第二隔离岛；第一掺杂类型的第二隔离区，所述第二隔离区从所述第二外延层的上表面向所述第二外延层内延伸，所述第二隔离区的一部分与所述第二埋层的第二部分相连以在所述第一隔离岛内限定出所述第二外延层的第三隔离岛，所述第二隔离区的另一部分与所述第二埋层的第一部分相连；第二掺杂类型的第一阱区，所述第一阱区包括第一部分和第二部分，所述第一阱区的第一部分从所述第二外延层的上表面向所述第三隔离岛内延伸，所述第一阱区的第二部分从所述第二外延层的上表面向所述第二外延层内延伸并通过所述第一隔离区将所述第一埋层的第一部分和所述第一埋层的第二部分电相连，所述第一阱区的第二部分与所述第二隔离区的第二部分接触；以及第一掺杂类型的第二阱区，从所述第二外延层的上表面延伸至所述第二隔离岛内，所述第二阱区与所述第一阱区的第一部分电相连并作为第一电极引出。