[发明专利]功率开关的热观测器以及过载保护有效
| 申请号： | 201810361037.5 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN108462146B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | F.科尔蒂贾尼;A.德奇科 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/07 | 分类号： | H02H3/07;H02H5/04;H02H6/00;G01K1/02;H03K17/082 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;陈岚 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率开关的热观测器以及过载保护。本发明提出嵌入到功率半导体器件中的温度传感器的放置。这样，至少一个该嵌入的温度传感器被放置在功率半导体电路的热源、有源区或沟道内，或者被放置为靠近功率半导体电路的热源、有源区或沟道，并且至少一个该嵌入的温度传感器被放置为更进一步远离该功率半导体电路的该热源、有源区或沟道。此外，提供一种新的温度测量方法，该方法采用温度测量的定时以及调节测量参数为合适的阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 开关 观测器 以及 过载 保护 | ||
【主权项】：
1.一种半导体电路装置，包括：具有至少一个有源区（Ch_n,T1）的功率半导体器件；嵌入在功率半导体器件（功率芯片）中的第一温度传感器（HS）；其中第一温度传感器（HS）被放置在至少一个有源区（Ch_n,T1）内或者靠近该至少一个有源区（Ch_n,T1）；以及嵌入在功率半导体器件（功率芯片）中的第二温度传感器（CS）；其中该第二温度传感器（CS）被放置远离该至少一个有源区（Ch_n,T1），比第一温度传感器（HS）更进一步远离该至少一个有源区（Ch_n，T1）。
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