[发明专利]一种磷化铟和硅晶片键合方法在审
| 申请号： | 201810403341.1 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110407162A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 詹亿运 | 申请（专利权）人： | 詹亿运 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 福州科扬专利事务所 35001 | 代理人： | 何小星 |
| 地址： | 350804 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磷化铟和硅晶片键合方法，包括依次进行的如下子步骤：步骤一：对磷化铟晶片和硅晶片进行表面清洗：将硅晶片依次放置于丙酮、异丙醇与去离子水中各用超声清洗后，用去离子水洗净用氮气吹干备用；步骤二：将磷化铟和硅晶片进行对准强压，使二者紧密贴合并使表面材料在范德华力作用下结合从而具有一定结合强度的预键合状态；步骤三：将预键合状态的晶片进行加压退火：将预键合状态的晶片放置在充满氮气的环境下使用石墨夹具夹持住，然后将温度升至300℃，并保持8小时后，降至室温。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶片 磷化铟 预键合 键合 离子 氮气 退火 磷化铟晶片 强压 表面材料 表面清洗 超声清洗 氮气吹干 范德华力 晶片放置 石墨夹具 水洗净 异丙醇 子步骤 丙酮 夹持 晶片 水中 备用 加压 对准 合并 | ||
【主权项】：
1.一种磷化铟和硅晶片键合方法，其特征在于：包括依次进行的如下子步骤：步骤一：对磷化铟晶片和硅晶片进行表面清洗：将硅晶片依次放置于丙酮、异丙醇与去离子水中各用超声清洗20分钟后，浸泡在浓度为2%的稀释氢氟酸溶液中去除表面的氧化层，再放入浓度为80%的浓硫酸溶液中浸泡10分钟，最后放进去离子水清洗并用氮气吹干；将磷化铟晶片依次放置于丙酮、异丙醇与去离子水中各用超声清洗20分钟后，放进30%浓度的氨水及浓度为4%的氢氟酸中进行短时间浸泡，然后用去离子水洗净用氮气吹干备用；步骤二：将磷化铟和硅晶片进行对准强压，使二者紧密贴合并使表面材料在范德华力作用下结合从而具有一定结合强度的预键合状态；步骤三：将预键合状态的晶片进行加压退火：将预键合状态的晶片放置在充满氮气的环境下使用石墨夹具以1.5MPa的压强夹持住，然后以10℃/min的速度将温度升至300℃，并保持8小时后，以5℃/min的速度降至室温。
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