[发明专利]一种GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池在审

申请号：	201810517074.0	申请日：	2018-05-25
公开（公告）号：	CN110534607A	公开（公告）日：	2019-12-03
发明（设计）人：	方亮;张启明;张恒;刘如彬;高鹏;姜明序;王赫	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号：	H01L31/0725	分类号：	H01L31/0725;H01L31/0735
代理公司：	12101 天津市鼎和专利商标代理有限公司	代理人：	李凤<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址：	300384 天津市滨海***	国省代码：	天津;12
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摘要：	本发明涉及一种GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池。本发明属于太阳电池技术领域。一种GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池，其特点是：GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池，采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长晶格匹配的太阳电池材料，包括两个子电池：GaInP顶电池，GaAs中间电池；GaAs中间电池和采用PECVD制备的μc‑Si:H底电池通过低温键合工艺键合接在一起，GaAs衬底通过化学刻蚀剥离；GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池依次连接GaInP顶电池、隧穿结、GaAs中间电池、μc‑Si:H底电池。本发明具有明显提升电池的转换效率，又能有效降低电池成本，极大地提升三结叠层太阳电池的应用前景等优点。
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【主权项】：

1.一种GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池，其特征是：GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池，采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长晶格匹配的太阳电池材料，包括两个子电池：GaInP顶电池，GaAs中间电池；GaAs中间电池和采用PECVD制备的μc-Si:H底电池通过低温键合工艺键合接在一起，GaAs衬底通过化学刻蚀剥离；GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池依次连接GaInP顶电池、隧穿结、GaAs中间电池、μc-Si:H底电池。/n

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摘要：本实用新型提供一种太阳能电池。该太阳能电池包括Si衬底，n型掺杂InP量子点层、p型掺杂InP量子点层、第一电极和第二电极，n型掺杂InP量子点层和p型掺杂InP量子点层分别设置在Si衬底的两侧，第一电极设置在n型掺杂InP量子点层的背离Si衬底的一侧，第二电极设置在p型掺杂InP量子点层的背离Si衬底的一侧。该太阳能电池，用Si衬底代替InP衬底，由于Si衬底的电池制备工艺相对成熟，从而大大降低了InP电池的制备成本；同时，该InP电池具有较高的光电转换效率，且适合在恶劣的空间环境中使用，寿命长。

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摘要：本发明公开了一种柔性双面太阳能电池及其制备方法，包括通过金属电极连接的正面砷化镓多结太阳能电池单元和背面钙钛矿太阳能电池单元；正面砷化镓多结太阳能电池单元以GaAs单晶片为衬底，在其上依次生长有GaAs缓冲层、AlAs牺牲层、GaInP子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第一隧道结、用于减少位错的(Al_xGa_1‑x)_1‑_yIn_yAs梯度缓冲层和GaInAs子电池，金属电极制作在GaInAs子电池上；而后湿法腐蚀掉AlAs牺牲层，将上述外延结构和金属电极从衬底剥离，剥离后在GaInP子电池上制作正面电极；背面钙钛矿太阳能电池单元包括沉积在金属电极上的石墨‑钙钛矿混合层和沉积在石墨‑钙钛矿混合层上的ITO透明电极。本发明不仅能提高对太阳光的利用率，增加光电转换效率，且制作成柔性产品，质量轻、便于携带。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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