[发明专利]一种光刻工艺热点的检查方法

摘要

本发明提供了一种光刻工艺热点的检查方法，通过光刻仿真软件系统对测试版图进行光刻工艺窗口仿真筛选出仿真后认定为所述光刻工艺窗口偏小的虚拟工艺热点并对筛选出的结构进行归类得到一虚拟热点图形库，根据所述虚拟热点图形库中各图形所在位置区域对通过所述测试版图进行光刻的实际硅片进行扫描并提取对应区域内的实际结构图形的轮廓，将所述轮廓与所述测试版图进行比对，参照所述测试版图，通过光刻仿真软件系统检查出实际光刻工艺热点。通过对测试版图进行仿真以及对虚拟工艺热点进行筛选和归类，大大缩小实际工艺热点的检查范围，除低了检查成本，提高了检查效率。

主权项

1.一种光刻工艺热点的检查方法，其特征在于，所述方法包括：利用光刻仿真软件系统对测试版图进行光刻工艺窗口仿真并筛选出仿真后认定为光刻工艺窗口偏小的虚拟工艺热点；对筛选出的多个所述虚拟工艺热点做图形归类得到一虚拟热点图形库，将所述虚拟热点图形库中各图形所对应的区域位置信息输入到扫描机台；所述扫描机台根据所述区域位置信息对已通过所述测试版图进行光刻工艺的实际硅片进行扫描拍照；提取拍照所得照片中图形的轮廓并将所述轮廓与所述测试版图做叠对，参照所述测试版图，利用光刻仿真软件系统检查实际工艺热点。