[发明专利]一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法

摘要

本发明提供了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法，本发明利用胶带作为二硫化钼薄膜转移的支架，聚合物薄膜作为二硫化钼与透明胶的隔离层，二硫化钼薄膜及聚合物薄膜紧紧地附着在胶带上面，减少了二硫化钼薄膜与生长衬底分离时产生的薄膜破碎情况，而且便于二硫化钼薄膜的收集；同时，在转移过程中可以通过转移胶带来实现对二硫化钼薄膜及聚合物薄膜的转移，不会对二硫化钼薄膜造成破坏。此外，本发明将前驱体浸泡于丙酮中实现胶带和聚合物薄膜与二硫化钼薄膜分离，保证了胶带在脱离过程中不会对二硫化钼薄膜造成破坏，有利于实现大面积单层或少层二硫化钼薄膜实现较完整的转移。

主权项

1.一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法，包括以下步骤：提供单面生长有二硫化钼薄膜的生长衬底，在所述二硫化钼薄膜表面涂覆聚合物溶液，固化，在所述二硫化钼薄膜表面形成聚合物薄膜；在所述聚合物薄膜的表面粘贴胶带，去除生长衬底，得到附着有胶带和聚合物薄膜的二硫化钼薄膜；将所述附着有胶带和聚合物薄膜的二硫化钼薄膜转移至目标衬底的单面，使二硫化钼薄膜与目标衬底接触，得到前驱体；将所述前驱体浸泡于丙酮中，使胶带和聚合物薄膜与二硫化钼薄膜分离，得到附着在目标衬底单面的二硫化钼薄膜；其中，所述二硫化钼薄膜的面积为100μm2～1cm2；所述二硫化钼薄膜的层数为1～20层，每层的厚度独立为0.60～0.65nm。