[发明专利]一种基于二硫化钼为载体的光电池制备方法在审
申请号: | 202110138233.8 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN112768566A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 江旻珊;刘熠翕;张学典 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/068 |
代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 王颖 |
地址: | 200093 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种基于二硫化钼为载体的光电池制备方法,包括以下步骤:将块状二硫化钼进行机械剥离,得到二硫化钼制备样品;对二硫化钼制备样品进行表面制绒,得到具有绒面的二硫化钼;对具有绒面的二硫化钼进行扩散制结,形成二硫化钼P‑N结,得到二硫化钼太阳能电池,并对二硫化钼太阳能电池边缘的掺杂硅进行等离子刻蚀,得到刻蚀后的二硫化钼太阳能电池;对刻蚀后的二硫化钼太阳能电池进行镀减反射膜,对镀膜后二硫化钼太阳能电池进行丝网印刷,得到含有电极的二硫化钼太阳能电池;对含有电极的二硫化钼太阳能电池,进行快速烧结,得到烧结后的二硫化钼太阳能电池。本发明采用的原料充足,制备过程无污染、低成本,制得的光电池寿命长。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 二硫化钼 载体 光电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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