[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201811197947.0 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109671676A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李俊坤;黄国泰;富田隆治 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了制造半导体器件的方法，所述方法可以包括：在衬底上形成有源图案；在所述有源图案上形成横越所述有源图案的栅电极；在所述有源图案中形成与所述栅电极的侧壁相邻的凹部；以及使用源气体和掺杂气体执行化学气相沉积工艺，以在所述凹部中形成源极/漏极区域。所述源气体可以包括硅前体和锗前体，并且所述掺杂气体可以包括镓前体和硼前体。 | ||
| 搜索关键词： | 源图案 半导体器件 掺杂气体 源气体 栅电极 凹部 前体 源极/漏极区域 化学气相沉积 硅前体 锗前体 侧壁 衬底 横越 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成有源图案；在所述有源图案上形成横越所述有源图案的栅电极；在所述有源图案中形成与所述栅电极的侧壁相邻的凹部；以及使用源气体和掺杂气体执行化学气相沉积工艺，以在所述凹部中形成源极/漏极区域，其中所述源气体包括硅前体和锗前体，并且其中所述掺杂气体包括镓前体和硼前体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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