[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质有效
申请号: | 201811338087.8 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109786285B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 坂本和生;户岛孝之;寺田和雄;小野优子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括供给流路、排气流路、循环路径、排气切换阀和控制部。供给流路向处理室供给清洁气体。排气流路使从处理室排出的排出气体流到外部。循环路径使在排气流路流动的排出气体返回供给流路。排气切换阀设置于排气流路或循环路径,能够在排气流路与循环路径之间选择性地切换排出气体的流路。当处理室中使用的处理液的种类切换时,控制部控制排气切换阀,使得排出气体的流路从循环路径切换至排气流路。即使在增加晶片的处理中使用的处理液的种类增加的情况下,和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增加排气容量的情况下,也能够抑制除害装置大型化。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:向处理室供给清洁气体的供给流路;排气流路,其使从所述处理室排出的排出气体流到外部;循环路径,其使在所述排气流路流动的所述排出气体返回所述供给流路;排气切换阀,其设置于所述排气流路或所述循环路径,能够在所述排气流路与所述循环路径之间选择性地切换所述排出气体的流路;和控制部,当所述处理室中使用的处理液的种类切换时,其控制所述排气切换阀,使得所述排出气体的流路从所述循环路径切换至所述排气流路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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