[实用新型]功率半导体器件有效
| 申请号： | 201820499686.7 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN208062060U | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·叶季纳科;吴小利 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王美石;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及功率半导体器件。该器件可包括半导体区中限定的第一沟槽屏蔽电极和第二沟槽屏蔽电极，所述第一沟槽屏蔽电极和所述第二沟槽屏蔽电极各自具有设置在有源区中的第一部分以及设置在终止区中的第二部分。所述第一沟槽屏蔽电极的沟槽和所述第二沟槽屏蔽电极的沟槽可在其间限定所述半导体区的台面。所述器件还可包括设置在所述终止区中的注入物富集区，所述注入物富集区可与所述第一沟槽屏蔽电极和所述第二沟槽屏蔽电极相交，并且可具有设置在所述半导体区的所述台面中的一部分，所述部分从所述第一沟槽屏蔽电极的所述沟槽延伸到所述第二沟槽屏蔽电极的所述沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽屏蔽 电极 半导体区 功率半导体器件 富集区 终止区 注入物 台面 本实用新型 源区 相交 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：具有有源区和终止区的半导体区；所述半导体区中限定的第一沟槽屏蔽电极，所述第一沟槽屏蔽电极沿着第一纵向轴线延伸，所述第一沟槽屏蔽电极具有设置在所述有源区中的第一部分以及设置在所述终止区中的第二部分；所述半导体区中限定的第二沟槽屏蔽电极，所述第二沟槽屏蔽电极沿着所述第一纵向轴线与所述第一沟槽屏蔽电极平行延伸，所述第二沟槽屏蔽电极具有设置在所述有源区中的第一部分以及设置在所述终止区中的第二部分，所述第一沟槽屏蔽电极的沟槽和所述第二沟槽屏蔽电极的沟槽在其间限定所述半导体区的台面；以及设置在所述终止区中的注入物富集区，所述注入物富集区沿着与所述第一纵向轴线正交的第二纵向轴线延伸，所述注入物富集区与所述第一沟槽屏蔽电极和所述第二沟槽屏蔽电极相交，并且具有设置在所述半导体区的所述台面中的一部分，所述部分从所述第一沟槽屏蔽电极的所述沟槽延伸到所述第二沟槽屏蔽电极的所述沟槽。
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