[实用新型]一种用于晶圆生产离子注入的控制装置有效

专利信息
申请号: 201821629072.2 申请日: 2018-10-08
公开(公告)号: CN209000860U 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 王昌华 申请(专利权)人: 江苏英锐半导体有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/30
代理公司: 常州市权航专利代理有限公司 32280 代理人: 袁兴隆
地址: 224000 江苏省盐城市盐城经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及晶圆加工设备附属装置的技术领域,特别是涉及一种用于晶圆生产离子注入的控制装置,其可以通过提高筒体的盛放腔内的制备气体的控制精度;并且可以提高筒体盛放腔的制备气体的利用率;包括筒体和四组支腿,筒体的内部设置有盛放腔,盛放腔的顶端左侧连通设置有输入孔,盛放腔的顶端中部区域连通设置有输出孔;还包括左挂杆、右挂杆、支撑环、密封环、升降杆、螺纹杆、限位板和调节活塞,升降杆的中下部区域内部设置有伸缩腔;还包括横板、两组支撑架、挤压弹簧、密封塞、充气缸、恢复弹簧、左固定块、右固定块、左挡块、右挡块、动力活塞、推动杆、挑杆、固定杆、限位弹簧和转动杆,筒体的内部设置有工作腔。
搜索关键词: 盛放腔 筒体 内部设置 控制装置 连通设置 升降杆 挂杆 晶圆 制备 离子 晶圆加工设备 本实用新型 活塞 动力活塞 附属装置 恢复弹簧 挤压弹簧 下部区域 限位弹簧 右固定块 中部区域 左固定块 充气缸 工作腔 固定杆 螺纹杆 密封环 密封塞 伸缩腔 输出孔 输入孔 推动杆 限位板 右挡块 支撑环 支撑架 转动杆 左挡块 横板 两组 挑杆 支腿 生产
【主权项】:
1.一种用于晶圆生产离子注入的控制装置,包括筒体(1)和四组支腿(2),所述筒体(1)的内部设置有盛放腔,所述盛放腔的顶端左侧连通设置有输入孔(3),所述输入孔(3)中部连通设置有左控制阀(4),所述盛放腔的顶端中部区域连通设置有输出孔(5),所述输出孔(5)的中部连通设置有右控制阀(6),所述筒体(1)的底端的左前侧、左后侧、右前侧和右后侧分别与四组支腿(2)的顶端连接;其特征在于,还包括左挂杆(7)、右挂杆、支撑环(8)、密封环(9)、升降杆(10)、螺纹杆(11)、限位板(12)和调节活塞(13),所述左挂杆(7)的顶端和右挂杆的顶端分别与筒体(1)的底端的左侧和右侧连接,所述左挂杆(7)的底部区域右侧和右挂杆的底部区域左侧分别与支撑环(8)的外圆周侧壁的左侧和右侧连接,所述盛放腔的底端连通设置有伸入孔,所述密封环(9)的外侧壁与伸入孔的内侧壁密封卡装,所述升降杆(10)的顶端自筒体(1)的下侧密封穿过密封环(9)并且伸入至盛放腔内部,所述升降杆(10)的顶端与限位板(12)的底端连接,所述限位板(12)的顶端与调节活塞(13)的底端中部区域紧贴,所述调节活塞的圆周侧壁与盛放腔的圆周侧壁密封紧贴,所述升降杆(10)的中下部区域内部设置有伸缩腔,所述伸缩腔的底端连通设置有伸缩口,所述伸缩腔的圆周侧壁设置有内螺纹,所述螺纹杆(11)的顶端自升降杆(10)的下侧螺装穿过伸缩口并且伸入至伸缩腔内部,所述螺纹杆(11)的底端与支撑环(8)转动套装,所述盛放腔的顶端右侧连通设置有测压管(37),所述测压管的顶端连通设置有压力表(38);还包括横板(14)、两组支撑架(15)、挤压弹簧(16)、密封塞(17)、充气缸(18)、恢复弹簧(19)、左固定块(20)、右固定块、左挡块(21)、右挡块、动力活塞(22)、推动杆(23)、挑杆(24)、固定杆(25)、限位弹簧(26)和转动杆(27),所述盛放腔的底端左侧连通设置有进气孔,所述两组支撑架(15)的底端均与盛饭腔的底端左侧连接,所述两组支撑架(15)分别等距位于进气孔的左侧和右侧,所述横板(14)的底端的左侧和右侧分别与两组支撑架(15)的顶端连接,所述密封塞(17)的底端自盛饭腔内插入至进气孔,所述密封塞(17)的圆周侧壁中部区域与进气孔的顶端紧贴,所述挤压弹簧(16)的顶端与横板(14)的底端中部区域连接,所述挤压弹簧(16)的底端与密封塞(17)的顶端中部区域连接,所述充气缸(18)的顶端与筒体(1)的底端的左侧连接,所述筒体(1)的内部设置有工作腔,所述工作腔的顶端与进气孔连通设置有过度口,所述工作腔的左端和右端的上部区域分别连通设置有左补充口和右补充口,所述左固定块(20)的顶端和右固定块的顶端分别与工作腔的左端上侧和右端上侧铰接,所述左固定块(20)的左端和右固定块的右端分别与工作腔的左补充口内端周围区域和右补充口的外端周围区域密封紧贴,所述限位弹簧(26)的左端和右端分别与左固定块(20)的右端和右固定块的左端连接,所述左挡块(21)的左端和右挡块的右端分别与工作腔的左端上部区域和右端上部区域连接,所述工作腔的底端连通设置有伸缩孔,所述推动杆(23)的顶端自充气缸(18)的下侧穿过伸缩孔并且伸入至工作腔内部,所述推动杆(23)的底端与动力活塞(22)的底端中部区域连接,所述动力活塞(22)的圆周侧壁与工作腔的圆周侧部密封紧贴,所述恢复弹簧(19)的顶端的左侧和右侧分别与左挡块(21)和右挡块的底端紧贴,所述恢复弹簧(19)的底端与动力活塞(22)的顶端紧贴,所述挑杆(24)的右端与充气缸(18)的右端底部区域连接,所述挑杆(24)的底端左侧与固定杆(25)的顶端连接,所述转动杆(27)的中部区域与固定杆(25)铰接,所述转动杆(27)的前端右部区域贯穿设置有滑轨,所述推动杆(23)的底端设置有滑头,所述滑头与滑轨滑动卡装。
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  • 萨米·K·哈托;山元徹朗 - 日新离子机器株式会社
  • 2016-06-02 - 2019-05-28 - H01J37/317
  • 本发明提供真空室和质量分析电磁铁,能减小束电位导致的带状束的长度方向上的发散不均匀性。在构成带状束B的输送路径的真空室C中,当把通过真空室C内的带状束B的行进方向设为Z方向、把带状束B的长度方向设为Y方向、把与上述两方向垂直的方向设为X方向时,在Y方向上的真空室C的端部区域,越朝向真空室C的端部去,X方向上的真空室C的内部尺寸越小。
  • 一种制备单原子固态器件和阵列的原子掺杂方法及系统-201910153746.9
  • 王赟;金尚忠;金怀洲;陈智慧;侯彬;曹馨艺;赵春柳;石岩 - 中国计量大学
  • 2019-02-28 - 2019-05-21 - H01J37/317
  • 本发明公开了一种制备单原子固态器件和阵列的原子掺杂方法及系统,系统包括离子源、纳米模板、PMMA掩膜层、目标基板、片上离子注入探测模块、高精度压电步进模块。离子源提供目标供体离子束,使用带有孔径的纳米模板作为可移动掩模,用于准直离子束并实现离子的高分辨率定位寻址。同时与片上离子注入探测模块结合,该模块包含表面铝探测电极,利用离子束感应电荷原理以记录离子冲击。当检测到单个注入信号后将其反馈给高精度压电步进模块,驱动纳米模板步进到下一靶位,继续单离子注入。重复步骤直到区域内的所有靶位都完成注入,从而实现阵列的原子掺杂过程。整个系统具有离子源配置简单、注入和检测过程快速且实时、稳定性好、离子定位精度高等优点,适用于各种不同离子,易于推广。
  • 离子植入设备-201821548872.1
  • 刘凯;倪明明;吴宗祐;林宗贤 - 德淮半导体有限公司
  • 2018-09-20 - 2019-05-10 - H01J37/317
  • 该实用新型涉及一种离子植入设备,包括腔体和石墨件,其中,所述腔体的腔体壁上设置有轨道,所述轨道的一端连通到所述腔体的出口处;所述石墨件安装至所述轨道,并能够沿所述轨道滑动。本实用新型中的离子植入设备的腔体壁上设置有连通到所述离子植入设备的腔体出口的轨道,且所述离子植入设备的石墨件安装到所述轨道,能够沿所述轨道运动至腔体出口处,因此,即使石墨件发生形变,也可将所述石墨件从所述腔体轻易拉出,以完成对离子植入设备的预防保养,提高离子植入设备预防保养的效率。
  • 一种离子注入机-201821652558.8
  • 丁桃宝 - 苏州晋宇达实业股份有限公司
  • 2018-10-12 - 2019-04-26 - H01J37/317
  • 本实用新型公开了一种离子注入机,包括离子源、气体箱、萃取系统、离子质量分析器、加速系统、电子淋浴器和硅片放置驱动装置,加速系统和电子淋浴器之间还设置有法拉第检测板;硅片放置驱动装置包括机架,机架上竖直滑动安装有升降台,升降台上固定有竖直设置的固定端盖,升降台上偏摆安装有活动盘体,活动盘体与固定端盖之间密封配合,活动盘体内可拆卸转动安装有公转盘,公转盘上圆周均布有若干个自转盘架,每个自转盘架由自转动力装置驱动,该自转盘架上设置有卡紧装置。该离子注入机更换硅片时对离子束遮挡并实时监控离子束的强度,进行下一次注入时可以以此强度数据为依据来指导硅片放置驱动装置动作,使离子注入更加稳定,效率也更高。
  • 离子源及离子注入装置-201821310597.X
  • 邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 - 德淮半导体有限公司
  • 2018-08-14 - 2019-04-16 - H01J37/317
  • 本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种离子源及离子注入装置。所述离子源,包括用于气体电离的腔室,还包括保护结构;所述保护结构覆盖于所述腔室的内壁表面,以避免所述气体与所述腔室的内壁接触。本实用新型有效避免了气体以及气体电离后产生的离子在腔室内壁上的富集,使得离子源的使用寿命得以延长,离子注入工艺的效率也得到了改善。
  • 法拉第装置及离子注入设备-201821513133.9
  • 唐瑞龙;倪明明;吴宗祐;林宗贤 - 德淮半导体有限公司
  • 2018-09-17 - 2019-04-16 - H01J37/317
  • 本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种法拉第装置及离子注入设备。所述法拉第装置包括:法拉第结构,用于检测离子束的电流;第一轨道,沿水平方向延伸,且能够在与所述水平方向垂直的竖直方向上进行升降运动;所述法拉第结构与所述第一轨道连接,且能够沿所述第一轨道移动,以分别检测所述离子束沿水平方向和竖直方向的角度分布。本实用新型可以实现对入射离子束分别在水平方向上和竖直方向上分布角度的测量,简化了离子束角度测量系统的结构,减小了角度测量系统的体积。
  • 等离子体注入机设备-201820880701.2
  • 刘铁 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-06-07 - 2019-04-02 - H01J37/317
  • 本实用新型提供一种等离子体注入机设备,该设备包括:预抽真空室、传送室和处理室,所述预抽真空室包括预抽真空室一;所述传送室设置于所述预抽真空室一的一侧,所述预抽真空室一与所述传送室间设有隔离阀一;所述处理室设置于所述传送室相对于所述预抽真空室一的另一侧,所述处理室包含处理室一;所述传送室与所述处理室一间设有隔离阀二;所述等离子体注入机设备还包括加气装置,至少连接于所述传送室和所述预抽真空室的任一者。本实用新型通过对设备的改进,节省了工艺时间,可以提高机台产能约30%。
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