[发明专利]将EUV范围的光刻掩模的测量数据从第一环境变换到第二环境的方法和设备有效

申请号：	201880013737.3	申请日：	2018-02-06
公开（公告）号：	CN110325909B	公开（公告）日：	2023-02-03
发明（设计）人：	C.布莱辛-班格特	申请（专利权）人：	卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号：	G03F1/84	分类号：	G03F1/84;G03F1/24
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	王蕊瑞
地址：	德国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明涉及一种方法，用于将极紫外(EUV)波长范围的光刻掩模(300)的测量数据(640)从第一环境(150)变换到第二环境(350)。该方法包括以下步骤：(a)确定在第一环境(150)中的光刻掩模(300)的测量数据(640)，其中测量数据(640)受内部应力对光刻掩模(300)的效应的影响；(b)决定在从第一环境(150)到第二环境(350)的转变期间测量数据(640)的至少一个变化(390、450、550)，在该变化中内部应力对光刻掩模(300)的效应至少被部分补偿；以及(c)用步骤(b)中所决定的测量数据(640)的至少一个变化(390、450、550)来校正步骤(a)中确定的测量数据(640)。
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【主权项】：

1.一种方法，用于将极紫外(EUV)波长范围的光刻掩模(300)的测量数据(640)从第一环境(150)变换到第二环境(350)，其中所述方法包括以下步骤：a.确定在所述第一环境(150)中的所述光刻掩模(300)的测量数据(640)，其中所述测量数据(640)受内部应力对所述光刻掩模(300)的效应的影响；b.决定在从所述第一环境(150)到所述第二环境(350)的转变期间所述测量数据(640)的至少一个变化(390、450、550)，在所述变化中，所述内部应力对所述光刻掩模(300)的效应至少被部分补偿；以及c.用步骤b中所决定的测量数据(640)的至少一个变化(390、450、550)来校正步骤a中确定的所述测量数据(640)。

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摘要：本文所公开的方法包括在接近垂直的第一测量位置处和第二测量位置处记录光掩模表面的相应的第一干涉图和第二干涉图，并将差图定义为该第一干涉图和该第二干涉图之间的差。在该第一测量位置处和该第二测量位置处还测量了该光掩模上的相应的第一法向力和第二法向力。法向力的变化用于定义缩放因子，该缩放因子被应用于差图以定义经缩放的差图。通过从该第一干涉图中减去经缩放的差图来获取由重力引起的形状贡献得以减少的经补偿平坦度测量值。还公开了基于干涉仪的平坦度测量系统。

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专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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