[发明专利]一种传感器的制造方法及传感器有效

申请号：	201910403300.7	申请日：	2019-05-15
公开（公告）号：	CN110277345B	公开（公告）日：	2021-11-19
发明（设计）人：	赵玉会;钟艾东;甘凯杰;翁佩雪;郭文海;邓丹丹;林锦伟;林伟铭	申请（专利权）人：	福建省福联集成电路有限公司
主分类号：	H01L21/761	分类号：	H01L21/761;H01L21/304;H01L27/144
代理公司：	福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219	代理人：	徐剑兵;郭鹏飞
地址：	351117 福建省莆***	国省代码：	福建;35
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摘要：	本发明公开一种传感器的制造方法及传感器，方法包括如下步骤：在外延片上进行离子植入，进行多个无源区隔离；在外延片上进行第一金属层沉积，使得金属沉积在无源区之间；在外延片上沉积保护层，并在第一金属层和切割道上面进行开口，所述切割道两侧处在无源区内；对外延片进行背面研磨减薄；研磨后的背面贴蓝膜，在切割道上进行水刀切割，切割后进行蓝膜扩张。述技术方案使用离子植入的方式替代湿蚀刻，无需使用到湿蚀刻，可以避免湿蚀刻容易造成传感器损坏的问题。以及由于切割道两侧处在无源区内，切割后的器件的两侧是无源区，有源区侧壁无裸漏在外，避免后续制程中损失外延，从而提高产品良率。
搜索关键词：	一种传感器制造方法
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【主权项】：

1.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在外延片上进行离子植入，进行多个无源区隔离；在外延片上进行第一金属层沉积，使得金属沉积在无源区之间；在外延片上沉积保护层，并在第一金属层和切割道上面进行开口，所述切割道两侧处在无源区内；对外延片进行背面研磨减薄；研磨后的背面贴蓝膜，在切割道上进行水刀切割，切割后进行蓝膜扩张。

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摘要：形成在半导体衬底中的隔离的晶体管包括埋设的底隔离区域和填充沟槽，该填充沟槽从衬底的表面向下延伸到底隔离区域。底隔离区域与填充沟槽一起形成衬底的隔离袋。在替代的实施例中，掺杂的侧壁区域从沟槽的底部向下延伸到底隔离区域。衬底不包含外延层，从而克服了与制造外延层有关的许多问题。

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摘要：本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层上第二介质层之间的填充材料层形成静电隔离结构，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，避免了静电隔离结构高于第二沟槽、第三沟槽的情况，使得半导体衬底表面平整，有效解决由于传统静电隔离结构的不平坦使后续的沉积工艺台阶覆盖能力不佳，特别是光刻出现匀胶不良，曝光异常，台阶处光刻胶偏薄无法有效作为刻蚀阻挡层等问题，从而实现器件结构，使参数和可靠性满足产品的要求。

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申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L21/761
摘要：本发明涉及一种单片硅晶圆(10)，其在至少一个竖直切割面上具有交替的n掺杂区域(110)和p掺杂区域(120)，所述n掺杂区域和所述p掺杂区域分别在所述晶圆的整个厚度(e)上延伸，其特征在于：所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域(120)分别在切割面中具有至少1mm的宽度(L₁，L₂)；所述n掺杂区域(110)具有氧热施主浓度，所述氧热施主浓度不同于所述p掺杂区域(120)的氧热施主浓度；以及所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域由电隔离区域(130)彼此分开。本发明还涉及制造这样的晶圆的方法。

一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法-201210461606.6
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摘要：本发明公开了一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法，包括下列步骤：1：准备一片P型硅片；2：由光罩定义出深N阱一注入区域并注入；3：由光罩定义出深N阱二注入区域并注入；4:高温推进形成横向和纵向的耐压层；5:由光罩定义出低压N阱、低压P阱注入区域并注入；进行高温退火；6：生长氧化层并淀积SiN，由光罩定义有源区，并刻蚀SiN，在漂移区上方形成场氧，将SiN湿法去除；7：生长栅氧并淀积多晶硅，光罩定义形成栅极多晶硅和漂移区场氧上的场板；8：离子注入形成源区和漏区；9：进行后续工艺。本发明采用较简单的双深N阱扩散工艺，在超高压BCD工艺内实现耐压达到700V以上隔离结构，工艺简单，成本低。

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申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/761
摘要：说明了一种用于半导体层序列的支承衬底（10），该支承衬底（10）具有第一主面（11）和与第一主面对置的第二主面（12）。在第一主面与第二主面之间构造有二极管结构（2），该二极管结构（2）使第一主面与第二主面至少针对电压的一个极性电绝缘。此外，说明了一种用于制造具有支承衬底的半导体芯片（3）的方法。

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申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/761
摘要：一种实现推回结隔离半导体结构的方法，通过向池的表面部分掺入的杂质，使得硅衬底上的硅外延层的交界处隔离池的表面积增加了，有效地推回池和隔离区之间的结交界处。池周围的结隔离区通常有掺杂浓度分布剖面图，图中显示浓度从结隔离区的中心到池交界处不断下降。通过增加池的表面掺杂浓度，来改变交界处隔离区的外围部分的净掺杂浓度，从而有效地增加了池表面的大小。在整个池的表面掺杂浓度可以增加，或者只是池的边缘的掺杂浓度增加，从而保持池中制造的设备的击穿电压。

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摘要：本发明公开了一种用于直接驱动功率器件的N阱高压栅驱动芯片的制备方法，通过在抛光硅晶圆上直接注入N型杂质的方式、推阱的方式和采用高压结隔离工艺将高压侧驱动控制模块和低压侧驱动控制模块隔离开，且在常规CMOS管工艺PN结隔离的基础上，通过在PN结表面形成降低表面电场区域，利用两层多晶硅形成电容分压器，有效地改变了PN结表面电场分布，形成了高压LDMOS管的高压隔离，再通过形成P-BODY区域，制备得到高压N型LDMOS管，与常规LDMOS管相比较，通过增加RESURF区域结构和双层多晶硅电容结构，可以达到700V以上的耐压要求；同时本制备方法工序简洁、成本较低，仅需要14块结构层次就可以形成直接驱动功率器件的高压栅驱动电路器件。

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申请日： 2008-02-06 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/761
摘要：提供了一种用于形成微电子组件的方法和一种微电子组件。在具有第一浓度的第一掺杂剂类型的基板(20)上形成第一和第二半导体器件(72)。在第一和第二半导体器件下方分别形成具有第二掺杂剂类型的第一和第二掩埋区(28)，其中在其之间具有间隙(34)。在基板上并且在第一和第二半导体器件之间形成至少一个阱区(64、70)。在第一和第二掩埋区之间形成具有第二浓度的第一掺杂剂类型的势垒区(48)并且该势垒区与该第一和第二掩埋区相邻，使得势垒区的至少一部分从第一和第二半导体器件延伸一深度(82)，该深度大于或等于掩埋区的深度。

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摘要：本发明公开了一种适于电源极性反转的PN结隔离方法。它包括以下步骤：在P型衬底双极工艺中，在P+掩埋层之间开两个N-外延层窗口，在N-外延层上注入N+，从两个注入N+引出两个金属端。本发明采用二极管切换电位的方式为电源极性反转的半导体元件提供了一种低成本的隔离方法，解决了电源极性反转的半导体元件的隔离技术问题。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]一种传感器的制造方法及传感器有效

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