[发明专利]光刻方法和装置有效
申请号: | 201910765186.2 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110837210B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 游信胜;刘如淦;黄旭霆;林进祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 桑敏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及光刻方法和装置。一种极紫外光刻(EUVL)方法,包括:提供具有相同图案的至少两个相移掩模区域。在衬底上方形成抗蚀剂层。确定抗蚀剂层的最佳曝光剂量,并且通过多重曝光工艺在抗蚀剂层的相同区域上形成潜像。多重曝光工艺包括多个曝光工艺,并且多个曝光工艺中的每个曝光工艺使用与具有相同图案的至少两个相移掩模区域不同的相移掩模区域。 | ||
搜索关键词: | 光刻 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910765186.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:扩展四叉树分割的边界处理
- 下一篇:一种处理视频数据的方法和装置