[发明专利]晶体生长炉在审
| 申请号： | 201910842635.9 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110408987A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴周礼 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B28/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种晶体生长炉。该晶体生长炉用于碳化硅晶体的生长，包括：坩埚及设置于坩埚内环形石墨片；坩埚的顶部用于承载待加工件，环形石墨片与坩埚的底壁之间的空间用于容置碳化硅原料；环形石墨片的外边缘与坩埚内壁贴合，用于阻挡坩埚内壁处的碳化硅原料高温碳化后的碳颗粒进入晶体生长界面。本申请实施例可以有效防止在碳化硅晶体生长工艺时坩埚内壁处碳化硅原料碳化后的碳颗粒进入晶体生长界面，从而可以有效减少碳化硅晶体中的碳包裹物，提升碳化硅晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 坩埚 晶体生长炉 碳化硅原料 坩埚内壁 晶体生长界面 环形石墨 碳颗粒 待加工件 高温碳化 有效减少 生长 内环形 石墨片 碳包裹 外边缘 底壁 容置 碳化 贴合 申请 承载 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长炉，用于碳化硅晶体的生长，其特征在于，包括：坩埚及设置于所述坩埚内的环形石墨片，所述坩埚的顶部用于承载待加工件，所述环形石墨片与所述坩埚的底壁之间的空间用于容置碳化硅原料；所述环形石墨片的外边缘与所述坩埚内壁贴合，用于阻挡所述坩埚内壁处的碳化硅原料高温碳化后的碳颗粒进入晶体生长界面。
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