[发明专利]一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法在审
| 申请号： | 201911311171.5 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111020673A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;陈俊红;李斌 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C25D11/32 | 分类号： | C25D11/32;C30B29/36;C30B33/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人： | 黄耀威 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，其步骤包括：将碳化硅单晶片切割成碳化硅片，然后将碳化硅片超声清洗和化学腐蚀，除去碳化硅片表面的氧化物；以碳化硅片作阳极、石墨片作阴极，保持碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置不变，在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑30min，在碳化硅片表面形成碳化硅纳米结构薄膜层；调整碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置，在所述蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑60s，使碳化硅片表面的碳化硅纳米结构薄膜剥离至碳化硅纳米结构薄膜脱落。本发明提供的一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，制备过程容易、剥离程序简单、实验重复性好。 | ||
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