[实用新型]一种半导体发光元件有效
| 申请号： | 201920242200.6 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN209374473U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡景元;蒙成;郭桓邵;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；其中第一类型导电性半导体层位于出光侧，所述第一类型导电性半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极接触的欧姆接触层并提供出光表面。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性半导体层 半导体发光元件 第一电极 电性连接 发光序列 铝镓铟磷 窗口层 半导体 欧姆接触层 出光表面 第二电极 发光层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；其中所述第一类型导电性半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极接触的欧姆接触层并提供出光表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司，未经天津三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920242200.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能组件挫角辅助装置
- 下一篇：一种发光二极管芯片
