[实用新型]一种微型发光二极管器件有效
| 申请号： | 201821793190.7 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN209374478U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡景元;黄俊凯;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种发光二极管外延结构，其包括外延衬底、外延衬底上的外延半导体层叠结构、设置于外延半导体层叠结构上的热分解层，半导体层叠结构包括第一类型导电性半导体层、发光层和第二类型导电性半导体层；以及一种微型发光二极管器件，包括：支撑基板、支撑基板上的热分解层、热分解层上支撑的微发光二极管单元；微发光二极管单元包括第一类型导电性半导体层、发光层和第二类型导电性半导体层，以及第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极和与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性半导体层 热分解层 微型发光二极管 微发光二极管 外延半导体 层叠结构 电性连接 支撑基板 发光层 衬底 发光二极管外延结构 半导体层叠结构 本实用新型 第二电极 第一电极 上支撑 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延结构，其包括外延衬底、外延衬底上的外延半导体层叠结构、设置于外延半导体层叠结构上的热分解层，半导体层叠结构包括第一类型导电性半导体层、发光层和第二类型导电性半导体层，所述的热分解层为加热条件下分解的层，所述的加热条件为外延半导体层叠结构不会分解。
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