[发明专利]用于射频(RF)应用的环氧树脂模制化合物上的减薄硅的方法有效
| 申请号： | 201980004903.8 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111226310B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | G·H·施;P·利安托;Y·古 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L23/12;H01L23/485;H01L21/3065;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述用于处理半导体基板的方法的实施例。在一些实施例中，处理半导体基板的方法包括以下步骤：从具有多个管芯的重构基板的背侧移除材料，以暴露多个管芯中的至少一个管芯；蚀刻重构基板的背侧，以从暴露的至少一个管芯移除材料；以及在重构基板的背侧和暴露的至少一个管芯上沉积第一材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 rf 应用 环氧树脂 化合物 减薄硅 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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