[发明专利]一种生产纳米包覆材料或纳米空心材料的方法和装置有效
| 申请号： | 202010950455.5 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN114162825B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 邱新平;张文广 | 申请（专利权）人： | 北京清创硅谷科技有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | C01B33/029 | 分类号： | C01B33/029;C01B33/03;C01D15/08;C01D7/00;C01F5/24;C01F11/18;B82Y30/00;B01J3/00;B01J3/02 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 夏东栋;钱程 |
| 地址： | 100192 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种生产纳米包覆材料或纳米空心材料的方法，该方法包括：在向料仓中持续通入松动气的情况下将在所述料仓中的纳米核材料加热升温；将氮气持续通入负压通路，以促进纳米核材料从料仓下料至导流筒反应器内；并使反应气与高温的纳米核材料进行热交换而得到纳米包覆材料。本公开通过设计导流筒使物料加热区与反应区位于两个不同部位，有效解决了反应过程中炉壁发生沉积现象；采用的松动气设计，有效解决了料仓中物料因压实和架桥导致无法下料的问题；采用负压发生器的设计可以保证物料的连续顺利下料。在本公开的设备结构，可以确保连续生产、产品无团聚、炉壁无沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生产 纳米 材料 空心 方法 装置 | ||
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- 本公开涉及一种生产纳米包覆材料或纳米空心材料的方法，该方法包括：在向料仓中持续通入松动气的情况下将在所述料仓中的纳米核材料加热升温；将氮气持续通入负压通路，以促进纳米核材料从料仓下料至导流筒反应器内；并使反应气与高温的纳米核材料进行热交换而得到纳米包覆材料。本公开通过设计导流筒使物料加热区与反应区位于两个不同部位，有效解决了反应过程中炉壁发生沉积现象；采用的松动气设计，有效解决了料仓中物料因压实和架桥导致无法下料的问题；采用负压发生器的设计可以保证物料的连续顺利下料。在本公开的设备结构，可以确保连续生产、产品无团聚、炉壁无沉积。
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- 朴斗镇 - TSTI技术株式会社
- 2009-09-21 - 2010-10-06 - C01B33/029
- 本发明公开了一种制造多晶硅的装置和方法，其能够通过采用激光束对硅烷气体进行热分解来沉积多晶硅颗粒，缩短制造多晶硅所需要的时间段，并且能够通过直接地沉积多晶硅颗粒并熔化多晶硅颗粒来制造铸块，而不需要使用额外的晶体种子，其中，所述装置还包括反应室；气体供应器，用于将硅烷气体供应给所述反应室；激光照射器，用于通过将激光束照射到从所述气体供应器供应的硅烷气体来对所述硅烷气体进行热分解，生成多晶硅颗粒；以及多晶硅颗粒接收器，用于接收并储存多晶硅颗粒。
- 一种多晶硅分解炉-201010123333.5
- 刘明亮;刘新安;柴新刚 - 化学工业第二设计院宁波工程有限公司
- 2010-03-11 - 2010-09-15 - C01B33/029
- 本发明公开了一种多晶硅分解炉，包括底盘和钟罩式双层炉体，底盘上均匀设置有十二个电极单元，每个电极单元的中心设置有纵向贯穿底盘的硅烷气体进气管，硅烷气体进气管的第一端口为气体进口，硅烷气体进气管的第二端口与钟罩式双层炉体相连通，每个电极单元包括按正方形排列的四个电极，电极纵向贯穿设置于底盘上，电极的第一端位于底盘的下方，电极的第二端位于钟罩式双层炉体内，每个电极单元中以两个电极为一组，并在该组的两个电极的第二端之间连接有一个硅芯，这种结构的分解炉大大提高了多晶硅的生产产量，扩大了生产规模，且有效降低了能耗，同时保证了生产得到的多晶硅产品的质量。
- 一种制备多晶硅的方法-200910140420.9
- 张月和;薛明;贾兵;蔡春立;王伟 - 六九硅业有限公司
- 2009-05-08 - 2009-10-14 - C01B33/029
- 本发明提供一种多晶硅的制备方法，包括步骤：a)将包括甲硅烷的含硅气体和包括氢气的辅助气体混合得到第一混合气体；b)将所述第一混合气体在200℃～400℃的条件下预热；c)将预热后的第一混合气体送入反应器中进行热解反应，所述热解反应的产物沉积到设置在反应器内的多个硅棒上得到多晶硅，所述反应器内的硅棒在第一混合气体送入反应器之前被预热至200℃～400℃。与现有技术相比，预热后的混合气体送入反应器后，硅棒达到热解温度的速度变快，因此可以提高热解反应速度。此外，混合气体经过预热后再进行热解反应时，由于硅棒升温平缓，因此不但提高了硅棒之间的沉积均匀性，也有利于改善每个硅棒沉积的不均匀性。
- 一种高温液态氯硅烷的输送方法-200810147641.4
- 戴自忠;易忠海 - 四川永祥多晶硅有限公司
- 2008-11-24 - 2009-04-29 - C01B33/029
- 本发明公开了一种高温液态氯硅烷的输送方法，是对于多晶硅生产中的精馏、回收系统塔釜中的液态氯硅烷进行输送，其特征在于：通过蒸汽将处于低位置的液态氯硅烷加热成气态氯硅烷，气态氯硅烷上升，然后通过RO水将气态氯硅烷冷凝成液态氯硅烷，冷凝后的液态氯硅烷位于高位置的罐内，然后通过调节阀和流量计来控制输送液态氯硅烷到下一个塔或罐；本方法采用再沸器和冷凝器的配合代替了屏蔽泵，这样不仅完全解决了汽蚀现象，而且通过氯硅烷的性态变化使得输送也非常方便，同时所传送的流量可以准确控制，流速平稳。
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