[发明专利]新型甲硅烷基环二硅氮烷化合物以及使用其制造含硅薄膜的方法在审
申请号: | 202080059088.8 | 申请日: | 2020-08-13 |
公开(公告)号: | CN114269761A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 张世珍;金成基;朴廷主;卞泰锡;权容熙;金泳勋;林幸墩;全相勇;李相益 | 申请(专利权)人: | DNF有限公司 |
主分类号: | C07F7/10 | 分类号: | C07F7/10;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 许洪洁 |
地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了新型甲硅烷基环二硅氮烷化合物,包含该化合物的用于沉积含硅薄膜的组合物,以及使用其制造含硅薄膜的方法,并且由于本发明的甲硅烷基环二硅氮烷化合物具有高反应性、热稳定性和高挥发性,可以将它用作含硅前体,从而通过各种沉积方法制造高质量的含硅薄膜。 | ||
搜索关键词: | 新型 硅烷 基环二硅氮烷 化合物 以及 使用 制造 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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