[发明专利]一种基于TSC695处理器的可加载型通用RAM自测试方法有效

专利信息
申请号: 202110136085.6 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112951314B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 朱琦;刘胜阳;林挺;侯俊;林型勇 申请(专利权)人: 上海航天计算机技术研究所
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56;G01R31/28
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 黄超宇;胡晶
地址: 201109 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于TSC695处理器的可加载型通用RAM自测试方法,包括以下步骤:编译生成低地址段的测试程序模块,编译生成高地址段的测试程序模块,低、高两部分测试模块连接生成加载程序,加载程序通过串口加载到RAM中运行,判断低地址段程序是否发生RAM异常和测试结束,运行低地址段测试模块测试高地址段RAM读写,将高地址段测试模块代码转存至高地址段,跳转至高地址段,判断高地址段测试程序是否发生RAM异常和测试结束和运行高地址段测试模块测试低地址段RAM读写。本发明解决了计算机验收测试时将测试程序加载到RAM上实现RAM自测试时测试难以全面覆盖的问题。
搜索关键词: 一种 基于 tsc695 处理器 加载 通用 ram 测试 方法
【主权项】:
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