[发明专利]制备单晶硅的坩埚组件以及制备炉有效
| 申请号： | 202110322095.9 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113106538B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 王双丽 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 欧阳高凤 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种制备单晶硅的坩埚组件以及制备炉，所述坩埚组件，包括：内锅，所述内锅限定出盛放制备原材料的容纳空间，所述内锅的底壁与所述内锅的侧壁之间限定出R部；导热层，所述导热层设置在所述R部处，以提高所述R部的导热效率；其中所述内锅与所述导热层的材料不同，且所述导热层的导热性能高于所述内锅的导热性能。由此，通过设置导热层，使坩埚组件的高温区域下移，可以增加高浓度区域与长晶界面之间的距离，可以减缓氧向长晶界面扩散；可以降低坩埚组件底部与长晶界面之间的温差，减缓氧通过硅液对流进入长晶界面，从而减少晶体中氧浓度，通过这两个方面有效改善长晶界面的氧含量，从而提高单晶硅的品质。从而提高单晶硅的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 单晶硅 坩埚 组件 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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