[发明专利]一种基于二维材料的光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202110735167.2 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113644159A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 吴章婷;曾培宇;汪曾达;张阳;郑鹏;郑梁 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/112 | 分类号: | H01L31/112;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 陆永强 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于二维半导体的光电探测器及其制备方法,至少包括衬底层、设置在该衬底层上的绝缘层、在该绝缘层上形成的异质结构以及分别与该异质结构源极和漏极相连接的电极,其中,所述异质结构至少包括二硒化钨层、石墨烯层和二硫化铼层,所述二硒化钨层、石墨烯层和二硫化铼层形成的接触均为范德瓦尔斯接触,三者的堆叠构成异质结;所述二硒化钨层位于底层,完全与绝缘层接触;所述石墨烯层置于中间层,所述二硫化铼层置于顶层,所述二硒化钨层和二硫化铼层经石墨烯层隔离而相互不接触。采用本发明的技术方案,能够实现高灵敏、宽波段和极化敏感的光波探测。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 二维 材料 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的