[发明专利]分离式低温磁屏蔽装置有效
| 申请号： | 202111323313.7 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114188136B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张露;刘习凯;文通;郑世强 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学宁波创新研究院 |
| 主分类号： | H01F27/36 | 分类号： | H01F27/36;H01F27/40;H01F27/02 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315800 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分离式低温磁屏蔽装置，包括：磁屏蔽主体和磁屏蔽上盖，两者均由磁屏蔽单元层、低温单元层以及退磁线圈单元组成。磁屏蔽单元用于屏蔽外界磁场，由外到内依次为金属屏蔽层、高磁导率屏蔽层以及超导屏蔽层。低温单元层内设有液氮或液氦，从而能够为磁屏蔽单元层提供低温环境。退磁线圈用于消除磁屏蔽单元层中的剩磁。磁屏蔽主体为“凹”字型的筒状结构，磁屏蔽主体的内部设有工作区；磁屏蔽上盖为反“凹”字型结构，从而与磁屏蔽主体相互配合，使得工作区内形成封闭的常温零磁空间。本发明不仅能够为待测的高精度磁传感器提供一种极低的磁场测试工作环境，同时有效解决了现有超导屏蔽无法提供常温零磁空间的技术难题。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 低温 屏蔽 装置 | ||
【主权项】：
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