[发明专利]一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件在审
申请号: | 202111384516.7 | 申请日: | 2021-11-19 |
公开(公告)号: | CN114142344A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 王新强;杨嘉嘉;黄振;陶仁春;沈波 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01S5/20 | 分类号: | H01S5/20;H01S5/34;H01S5/343 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件。本发明在蓝、绿光半导体激光器的上限制层的上、下表面各设置一层Al组分渐变的p‑AlGaN极化诱导层,通过双层极化诱导p型掺杂的的方式增加空穴注入,减少电子泄漏,提高有源区载流子复合效率,改善蓝、绿光激光器电学特性。本发明采用的处理方法具有工艺稳定、成本低廉、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 半导体激光器 电学 特性 方法 器件 | ||
【主权项】:
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