[发明专利]一种平面可控硅芯片的钝化工艺在审
| 申请号： | 202111581333.4 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114267601A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 崔丹丹;裘立强;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/332;H01L23/31;H01L29/74 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种平面可控硅芯片的钝化工艺。提供了一种方便加工，节省时间，提高产品可靠性的平面可控硅芯片的钝化工艺。包括以下步骤：（1）选取N型硅衬底晶片；（2）初始氧化：在晶片表面生长一层致密氧化膜；（3）P+隔离区选择性光刻和氧化膜去除：将正面及背面P+隔离层氧化膜暴露，其它区域用光阻剂保护；使用BOE将氧化膜去除，暴露出待扩散的P+隔离区；（4）P+隔离区硼预沉积：使用硼源进行扩散；（5）P+隔离区穿通扩散：在高温扩散炉中将硼结推进，使上下隔离层结深相通；（6）背面氧化膜去除：将晶片背面氧化膜用BOE全部去除；本发明不仅简化生产流程，降低生产成本，还提升了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 可控硅 芯片 钝化 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
