[发明专利]半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及形成生长层的方法在审
申请号: | 202180028149.9 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN115461501A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 金子忠昭;堂岛大地 | 申请(专利权)人: | 学校法人关西学院;丰田通商株式会社 |
主分类号: | C30B23/06 | 分类号: | C30B23/06;C30B29/38 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 方挺;侯晓艳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明要解决的问题在于提供一种能够制造大口径的半导体衬底的新颖技术。本发明是一种半导体衬底的制造方法,包括:在具有贯通孔(11)的基底衬底(10)上形成生长层(20)的晶体生长步骤(S30)。此外,本发明还是一种形成生长层(20)的方法,包括:在基底衬底(10)的表面上形成生长层(20)之前在基底衬底(10)上形成贯通孔(11)的贯通孔形成步骤(S10)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 衬底 制造 方法 以及 形成 生长 | ||
【主权项】:
暂无信息
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