[发明专利]碳化硅衬底的制造方法、碳化硅衬底以及去除由激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的方法在审
| 申请号： | 202180028205.9 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN115398043A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 金子忠昭;堂岛大地 | 申请（专利权）人： | 学校法人关西学院;丰田通商株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;B23K26/382;C30B33/02;C30B33/04;C30B33/12;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;侯晓艳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明要解决的问题是提供一种能够去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的新颖技术。本发明是一种碳化硅衬底的制造方法，包括：进行激光加工以通过对碳化硅衬底照射激光而去除所述碳化硅衬底的一部分的加工步骤，和通过对所述碳化硅衬底进行热处理而去除通过所述加工步骤引入到所述碳化硅衬底中的应变层的应变层去除步骤。此外，本发明是一种去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的方法，其包括对碳化硅衬底进行热处理的应变层去除步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 制造 方法 以及 去除 激光 加工 引入 中的 应变 | ||
【主权项】：
暂无信息
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