[发明专利]一种解决金属填充Metal Fill引起芯片时序恶化的方法在审
| 申请号： | 202210209793.2 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN114580342A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 赵少峰;高本峰 | 申请（专利权）人： | 东科半导体（安徽）股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F30/394;G06F30/392;G06F30/337;G06F30/3312;G06F115/02 |
| 代理公司： | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人： | 白洁 |
| 地址： | 243071 安徽省马鞍山市马鞍山经济技术*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种解决金属填充Meta l F i l l引起芯片时序恶化的方法。在布局布线步骤中，获取芯片中各个时序路径上各时序端点的建立时间和保持时间；根据芯片的时钟周期确定各个时序端点发生建立时间违例对应的第一违例时间和保持时间违例对应的第二违例时间；对每个时序路径确定各时序端点的建立时间与第一违例时间的时间间隔是否满足设定的时序裕度，以及对每个时序路径确定从建立时间起经过保持时间后的终止时间与第二违例时间的时间间隔是否满足设定的时序裕度；当存在任一不满足时，确定时序路径为时序风险路径，并以设定宽度生成虚拟阻挡层，沿时序风险路径设置虚拟阻挡层，用以后续在金属填充时阻挡在虚拟阻挡层所占位置上执行金属填充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 金属 填充 metal fill 引起 芯片 时序 恶化 方法 | ||
【主权项】：
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