[发明专利]一种模具嵌入法高通量生长全无机卤化钙钛矿光纤晶体的生长装置及生长方法在审
| 申请号： | 202210379058.6 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN116926653A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘阳;陶绪堂;李翠翠;蒋金科 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种模具嵌入法高通量生长全无机卤化钙钛矿光纤晶体的生长装置及生长方法，属于无机晶体生长技术领域，毛细模具置于生长坩埚中，通过选择不同形状的模具浸没在熔体中，原料全部熔化成为熔体进入模具，随后熔体在模具中进行晶体生长，包括如下步骤：设置温控程序，原料熔化，模具嵌入熔体，熔体进入模具，熔体在模具中生长，即可达到高通量生长晶体的目的。本发明的方法可以有效地解决光纤钙钛矿晶体的直接生长和高通量生长问题，具有制备效率高，生长周期短，简化晶体加工过程等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模具 嵌入 通量 生长 无机 卤化 钙钛矿 光纤 晶体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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- 高永亮;惠峰;王文军 - 中国科学院半导体研究所
- 2005-06-30 - 2007-01-03 - C30B9/00
- 本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器。方法过程如下：采用的温控设备和加热炉体用于对生长完的晶锭与PBN坩埚进行升温、恒温、降温；根据三氧化二硼(B2O3)的特性，温度降至室温，在晶锭和坩埚壁间依然会有残留，所以取出晶锭和坩埚，放入盛有甲醇的超声波发生器箱体内，进行超声处理，即可去除残留B2O3，顺利分离晶锭与PBN坩埚。
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