[发明专利]一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法，所述制备方法包括如下方法步骤：在半绝缘掺杂Si的GaAs衬底上生长的GaAs缓冲层；在所述GaAs缓冲层上生长GaSb低温缓冲层；在所述GaSb低温缓冲层上生长GaSb外延层；其中，所述GaSb低温缓冲层的生长厚度为10‑12nm，生长温度为300‑310℃。本发明通过在较低温度下生长较薄的GaSb低温缓冲层后，采用高温生长GaSb单晶薄膜，优化衬底生长温度、束流比、薄膜厚度的手段，采用低温高温相结合生长GaSb的方式，解决由于外延层和衬底存在较大的晶格失配导致表面相对粗糙且形成“V”形凹坑的难点。