[发明专利]一种带有保护结构的SiC MOSFET器件和制备方法在审
| 申请号： | 202211479695.7 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115832053A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 杨玉珍;王丕龙;秦鹏海 | 申请（专利权）人： | 深圳佳恩功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带有保护结构的SiCMOSFET器件和制备方法，属于半导体器件技术领域，该一种带有保护结构的SiCMOSFET器件包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、外延层、薄膜、JFET掺杂区和钝化层，所述薄膜的两侧均设有P区、P+区和N+区，且，所述N+区靠近所述薄膜，所述N+区和所述P区与所述薄膜之间设有保护层；其中，所述薄膜具有第一表面，所述P区分别具有第四表面和第五表面，所述N+区具有第七表面，通过在N+区和P区之间与JFET掺杂区设置屏障，可在此减弱形成电容作用，进而实现降压的作用；尤其基于以下的保护层的厚度以及掺杂浓度，从而可以增强器件的反向耐压能力，使得器件耐压能力进一步提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 保护 结构 sic mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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