[发明专利]一种超低压差输出瞬态增强的无片外电容LDO电路有效
| 申请号： | 202211656707.9 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN115981408B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 赖柏冲;伍荣翔 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/625 | 分类号： | G05F1/625 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体提供一种超低压差输出瞬态增强的无片外电容LDO电路，用以克服现有技术存在的瞬态响应差以及电压反馈模式无法实现低压工作下的低压差输出的问题。本发明包括：第一级误差放大器、功率管、频率补偿模块、反馈模块以及第二级误差放大器，反馈模块产生第一、第二反馈信号分别输入至第一、第二级误差放大器，形成双环路反馈结构；本发明还提出相应的电流反馈模式，通过电流反馈实现低输入、低输出电压工作条件下的超低压差输出，通过双环路反馈结构提高瞬态响应性能；最终，本发明实现了超低压差输出，保证了环路增益性能，又实现在输出负载跳变时的快速瞬态响应，满足更高精度的指标要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 输出 瞬态 增强 外电 ldo 电路 | ||
【主权项】：
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