[发明专利]高可靠快速读写OTP嵌入式存储器及其读写方法在审

专利信息
申请号: 202211715714.1 申请日: 2022-12-30
公开(公告)号: CN115938449A 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 彭泽忠 申请(专利权)人: 成都凯路威电子有限公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16;G11C17/12;G11C17/04;G11C17/18;G11C7/12;G11C8/08
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610041 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 高可靠快速读写OTP嵌入式存储器及其读写方法,涉及集成电路技术。本发明包括由M×N个反熔丝存储模块构成的阵列,每个反熔丝存储模块包括第一存储单元和第二存储单元,第一存储单元由第一选择MOS管、第一隔离MOS管和第一栅电容构成,第一选择MOS管的一个有源端连接所在列的列线,另一个有源端通过第一隔离MOS管连接第一栅电容的有源端;第二存储单元结构与第一存储单元相同;第一栅电容的栅端和第二栅电容的栅端连接第一公共行线;所有行的第一公共行线相互连接。本发明在写和读操作时只需要一次上电的时间,具有省电、省时、面积小的优点。
搜索关键词: 可靠 快速 读写 otp 嵌入式 存储器 及其 方法
【主权项】:
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