[发明专利]用于3D NAND的选择栅极分离在审
| 申请号： | 202280019364.7 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116941339A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 姜昌锡;北岛知彦;李吉镛;傅倩;康宋坤;越泽武仁;弗雷德里克·费什伯恩 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 描述一种存储器串，其包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及在延伸穿过基板上的存储器堆叠的垂直孔中的至少一个存储器晶体管。存储器堆叠包括交替的字线及介电材料。存在至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管，其在延伸穿过存储器堆叠的第一垂直孔中，漏极选择栅极(SGD)晶体管包括第一栅极材料。至少一个存储器晶体管在延伸穿过存储器堆叠的第二垂直孔中，至少一个存储器晶体管包括与第一栅极材料不同的第二栅极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 nand 选择 栅极 分离 | ||
【主权项】：
暂无信息
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