[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202310147709.3 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116646243A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 立花文人;植茶雅史;南云裕司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78;B28D5/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种半导体装置的制造方法中，制备其中形成多个半导体元件(3)并且具有彼此相反的第一表面(2a)和第二表面(2b)的晶圆(2)，以及沿着所述多个半导体元件中相邻半导体元件之间的边界(4)在所述晶圆的所述第一表面上形成凹槽(11)。以所述晶圆的所述第一表面面向支撑板(31)的方式将所述晶圆附接到所述支撑板，以及沿着所述边界将刻划刀片(33)压靠所述晶圆的所述第二表面以沿着所述边界在所述晶圆内部形成竖直裂纹(5)。然后，沿着所述边界将分断刀片(34)压靠所述晶圆以沿着所述边界劈开所述晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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