[发明专利]一种在氮化镓衬底上二次生长氧化镓的方法在审
| 申请号： | 202310160130.0 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116377574A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 徐明升;滕达;孙振;葛磊;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;H01L21/02;C30B29/16 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在氮化镓衬底上制备氧化镓薄膜的方法，该方法第一步热氧化氮化镓衬底制备氧化镓薄膜，第二步在低压化学气相沉积设备中在热氧化后的衬底上进行二次生长。MOCVD在蓝宝石衬底上生长的(002)面氮化镓为衬底，热氧化方法在传统管式炉内通入氧气作为氧化气体高温下热氧化氮化镓制备氧化镓薄膜。该方法制备工艺较为简单，重复性较高，成本较低，通过二次生长法可以在氮化镓衬底上制备出高质量的氧化镓薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 衬底 二次 生长 氧化 方法 | ||
【主权项】：
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