[发明专利]一种连续分子注入的方法在钙钛矿太阳能电池的应用在审
| 申请号： | 202310161442.3 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116209332A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张金宝;杨丽;杜国政;李晓锋 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/15;H10K71/16;H10K30/20;C23C14/02;C23C14/24;C23C14/12;C23C14/20 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 张素斌 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种连续分子注入的方法在钙钛矿太阳能电池的应用，本发明通过MISD这一工艺，实现了更高效率的分子掺杂，进而大大提高了薄膜的电导率和空穴迁移率，也优化了薄膜的表面电势，薄膜的HOMO能级也实现了降低。这些提升大大减少了器件的非辐射复合，降低了载流子在传输过程中的损失，最终大幅提升了器件效率(22.3％)。由于没有LiTFSI、tBP等掺杂剂的影响，MISD的器件也展现出了优异的稳定性，在环境中存放5200h后仍可以保持90％以上的初始效率。由此体现本发明可以同时提升电池效率及稳定性，为钙钛矿的太阳能电池的商业化发展提供启发和借鉴。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 分子 注入 方法 钙钛矿 太阳能电池 应用 | ||
【主权项】：
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