[发明专利]基于MOSFET和BJT的摩擦纳米发电机（TENG）电源管理系统在审
| 申请号： | 202310279747.4 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN116826936A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘付永洪;杨桂园;戴栋;赵建新;高凌志;欧阳馨晽 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H02J7/32 | 分类号： | H02J7/32;H02J7/00;H02M3/07 |
| 代理公司： | 青岛恒昇众力知识产权代理事务所(普通合伙) 37332 | 代理人： | 田慧 |
| 地址： | 510641*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了基于MOSFET和BJT的摩擦纳米发电机(TENG)电源管理系统的新型开关设计，解决了现有技术中三MOSFET开关中二极管带来的能量消耗问题，同时用一种半波整流结合MOS‑BJT开关的新方式，实现了对摩擦纳米发电机负电压最值的跟踪，且与以往仅适用于接触分离式TENG开关不同的是，本开关可以实现对四种模式(接触分离式，单电极式，滑动式，独立层模式)TENG的最佳能量转移点追踪。成本较于目前最先进的三MOSFET开关更加低廉，仅用2个无源器件，更利于集成，具有更强的适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mosfet bjt 摩擦 纳米 发电机 teng 电源 管理 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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