[发明专利]半导体器件、金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法在审
| 申请号： | 202310347054.4 | 申请日： | 2023-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN116648133A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 萧远洋;沈香谷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L21/768;H01L23/64;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了用于金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的通孔阵列配置。示例性MIM电容器结构包括电容器底部金属层、位于电容器底部金属层上方的第一介电层、位于第一介电层上方的电容器中部金属层、位于电容器中部金属层上方的第二介电层以及位于第二介电层上方的电容器顶部金属层。具有第一金属通孔和第二金属通孔的金属通孔阵列被连接到电容器顶部金属层和电容器底部金属层。电容器顶部金属层的部分覆盖从第一金属通孔延伸到第二金属通孔的第二介电层的区域。本发明的实施例还提供了半导体器件和形成金属‑绝缘体‑金属电容器结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属 绝缘体 电容器 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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