[发明专利]一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法在审
| 申请号： | 202310369558.6 | 申请日： | 2023-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116607210A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张建立;杨小霞;王小兰;高江东;李丹;潘拴;吴小明;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法，采用金属有机源TMIn清洗和InGaN阻挡层相结合的方法，可以消除MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物材料中掺Mg的记忆效应，阻挡Mg扩散至下一层影响光电性能。清洗MOCVD反应环境的主要特征是在TMIn的作用下，长时间吹扫MOCVD反应室和反应管道，清除反应环境中的Mg，并分解MOCVD反应室中已沉积的易分解的掺Mg氮化物，消除反应环境中Mg的记忆效应。InGaN阻挡层或InGaN/GaN超晶格阻挡层的主要特征是在合适的温度和缓慢的生长速率下生长，阻挡P型氮化物材料内部或表面的Mg扩散至下一层。通过本发明的两步法结合，能完全消除Mg的记忆效应，从而增加了Ⅲ族氮化物材料掺杂Mg后界面的陡峭性，提高材料性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 氮化物 材料 mg 记忆 效应 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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