[发明专利]一种HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法在审
| 申请号： | 202310497272.6 | 申请日： | 2023-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN116590792A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王素素;方国栋;蒲小东;张海涛;庞博 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B23/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058 | 代理人： | 吴晓丹 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化镓生长相关技术领域，且公开了一种HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法，包括石墨载盘底座和载盘盖板，所述石墨载盘底座上环形阵列设置有三个放置衬底的凸起圆形平台，载盘盖板上开设有与凸起圆形平台相适配的圆形通孔，载盘盖板盖设在石墨载盘底座上，凸起圆形平台嵌入对应圆形通孔内侧。该HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法，对GaN的沉积有一定的钝化作用，能有效减小厚膜生长的边缘效应，提升氮化镓厚膜晶体质量及良率，过单炉多片厚膜的形式，同时得到3个毫米级或者厘米级的体晶，有效避免氮化镓合成过程中的材料浪费，提升原料利用率，最终达到降低单片氮化镓单晶衬底生长成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hvpe 三片式 gan 厚膜用载盘 生长 方法 | ||
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- 本实用新型公开一种用于半导体设备的装载装置，其包括机械手和托盘组件，机械手包括旋转驱动件、连接臂和支撑件，旋转驱动件通过连接臂与支撑件连接；托盘组件包括可分离的托盘和承载件，支撑件用于支撑托盘，托盘用于支撑热场；承载件设置于升降装置的承载面上；支撑件设有避让开口，避让开口用于避让承载件；托盘和承载件配合时，托盘和承载面之间具有间隙，以允许支撑件与托盘相分离；旋转驱动件可驱动支撑件旋入机架内部，托盘位于承载件的上方的位置，可使升降装置驱动承载件和托盘相配合；旋转驱动件还可驱动支撑件旋至机架外的终点位置。上述技术方案可以解决目前安装热场时，受机架结构的限制，安装空间较小，安装难度较大的问题。
- 一种双坩埚蒸发源-202110678544.3
- 肖文德;乔璐;李骥;彭祥麟;姚裕贵 - 北京理工大学
- 2021-06-18 - 2021-09-14 - C30B23/06
- 本发明公开了一种双坩埚蒸发源，该双坩埚蒸发源的法兰组件包括真空法兰以及电极；水冷组件包括两个水冷管以及固定连接于两个水冷管顶端的水冷台；坩埚组件固定安装于水冷台的顶部，包括固定连接于水冷台的坩埚隔板、固定连接于坩埚隔板两侧的坩埚台、固定安装于每个坩埚台的坩埚台帽、置于每个坩埚台内的坩埚、以及固定连接于坩埚隔板上的坩埚罩；坩埚的加热单元与电极之间电连接，一个加热单元为电阻式加热单元，另一个加热单元为电子束加热单元；快门组件包括磁耦合旋转器、长杆以及快门。上述双坩埚蒸发源能够同时设置电阻式加热和电子束加热两种加热方式，无需频繁更换蒸发源。
- 一种分子束外延源料冷却方法-202011311954.6
- 杜鹏;龚欣;陈长平;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍 - 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司
- 2020-11-20 - 2021-08-27 - C30B23/06
- 本发明公开了一种分子束外延源料冷却方法，包括步骤：分子束外延工艺结束后，坩埚托架带动坩埚缓慢下降移出高温区间，使坩埚中的源料自下而上逐渐凝固，直至坩埚中的源料全部凝固。本发明具有操作简便，可在普通热蒸发源的基础上实现大容量、大束流、高可靠性的源料蒸发与冷却等优点。
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