[发明专利]一种量子反常霍尔效应阵列器件的制备方法及系统在审
| 申请号： | 202310518149.8 | 申请日： | 2023-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN116568122A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 王永超;高志廷;连梓臣;李耀鑫;张金松;王亚愚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H10N52/01 | 分类号： | H10N52/01;H10N59/00;H10N52/80;H10N52/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苟冬梅 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种量子反常霍尔效应阵列器件的制备方法及系统，包括：步骤1:基于刻蚀掩模板，对量子反常霍尔薄膜进行刻蚀，以在所述量子反常霍尔薄膜上刻蚀出多个阵列图案，所述多个阵列图案用于在对应区域沉积所述量子反常霍尔薄膜的电极；步骤2：基于至少两个电极掩模板，对准所述步骤1得到的量子反常霍尔薄膜进行镀膜，以在所述多个阵列图案上沉积电极膜，得到所述量子反常霍尔效应阵列器件；其中，不同的所述电极掩模板对应所述多个阵列图案的不同区域。旨在提供一种简单易实现的、能够提升器件性能的量子反常霍尔效应阵列器件制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 反常 霍尔 效应 阵列 器件 制备 方法 系统 | ||
【主权项】：
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