[发明专利]一种硫系相变材料结合Ag纳米颗粒多层薄膜结构的十级光学存储单元在审
| 申请号： | 202310524570.X | 申请日： | 2023-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN116564362A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 刘富荣;马全龙;陈清远;饶凯;张露露 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G11B7/243 | 分类号： | G11B7/243;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硫系相变材料结合Ag纳米颗粒多层薄膜结构的十级光学存储单元，属于光学存储领域。存储单元包括基底、记录层、反射层和保护层。Ag纳米颗粒的引入改变了纳秒脉冲激光辐照存储单元时记录层的热分布和热传输，显著影响了记录层的微观组织结构。通过改变纳秒激光能量密度，可以获得差值较大的十个光学反射率值，进而实现了十级光学存储。此外，存储单元还具有良好的可循环性。本发明通过相变材料的热稳定性和非易失性，结合纳秒激光的普遍性，摆脱了传统意义上的二值存储，实现了光学大密度存储。同时，所设计结构简单，制备快捷，可以大量投入生产，为未来全光存储、计算的发展奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 材料 结合 ag 纳米 颗粒 多层 薄膜 结构 光学 存储 单元 | ||
【主权项】：
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