[发明专利]一种垂直双极性结型晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种垂直型双极性结型晶体管及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底，基底包括自下而上依次层叠的衬底层、第一绝缘层、中间层、第二绝缘层及器件层，将器件层转变为绝缘介质层，形成第一、第二沟槽于绝缘介质层中，形成第三、第四沟槽于第二绝缘层中，形成第一、第二隔离带于中间层中，掺杂得到中间层功能区，形成第一、第二集电区，形成发射区及基区。本发明的制作方法起始于双绝缘层基底，例如可以是双绝缘层上硅晶圆，通过合理分布基区、集电区及发射区，解决了全耗尽SOI垂直双极性结型晶体管集成的问题。本发明的晶体管中采用双层绝缘层的隔离，使得器件可以稳定工作，不会影响别的器件，同时可以实现很好的双极放大。