[发明专利]一种二类超晶格红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 202310746369.6 | 申请日: | 2023-06-25 |
公开(公告)号: | CN116487453B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 陈龙华;张培峰;薛建凯;李斌;王伟 | 申请(专利权)人: | 山西创芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/102;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人: | 胡大成 |
地址: | 030012 山西省太*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明公开了一种二类超晶格红外探测器及其制备方法,属于半导体器件设计及制造领域,包括:半导体衬底;第一颜色通道层,包括第一P型电子势垒层;N型公共电极层,N型公共电极层设置于第一颜色通道层上;第二颜色通道层,包括第二P型电子势垒层,第二颜色通道层设置于N型公共电极层上;P型欧姆接触层,P型欧姆接触层设置于第二颜色通道层上;钝化层,钝化层设置于叠层的周侧;电极,电极包括第一电极,第二电极以及第三电极,第一电极与第一颜色通道层连接,第二电极与N型公共电极层连接,第三电极与第二颜色通道层连接。本方案可以解决当前的二类超晶格探测器在复杂环境下的探测能力不足,虚警率高的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 二类超 晶格 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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