[发明专利]一种便于调节生长温度的微波反应装置在审
| 申请号： | 202310916192.X | 申请日： | 2023-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116926666A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 冀成相;李再强;廖佳 | 申请（专利权）人： | 北京左文科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/04;C30B30/00 |
| 代理公司： | 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 | 代理人： | 刘文治 |
| 地址： | 100055 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种便于调节生长温度的微波反应装置，属于晶体生长设备领域。包括有微波谐振腔体，微波谐振腔体内设置有生长台，生长台上方设置有生长基台，生长台上连接有冷却机构，生长基台上连接有升降机构。升降机构能够控制生长基台深入等离子体的深度和并调节生长基台与具有冷却机构的生长台本体的间距，进而实现生长基台上的金刚石籽晶获取的等离子体能量以及散热速度的调节，达到金刚石籽晶生长温度的精确控制；同时，升降机构的连接杆通过真空管、压缩密封件实现真空密封，并通过波纹管进行伸缩缓冲，既能够保证生长基台的真空环境，又能够升降机构的结构稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 便于 调节 生长 温度 微波 反应 装置 | ||
【主权项】：
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- 一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用。本发明属于二维薄膜材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法获得的氮化硼薄膜尺寸仅能达到微米级以及生长取向不一致的技术问题。本发明采用CVD工艺，将液态生长衬底置于生长区，将固态源置于源区，在还原气氛下进行薄膜的生长，通过控制生长时间调控单晶氮化硼薄膜的层数，得到高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜。本发明的制备方法通过简单改变工艺参数即可实现氮化硼薄膜层数控制，且生长的晶圆级薄膜层数均一，不同区域内的层数保持一致，粗糙度低，可控性较好，通过对生长时间的精确控制实现了单晶氮化硼薄膜的层数可控制备。
- 一种单晶生长装置-202223505155.X
- 凌继贝;洪远文;鲁林;皇甫 - 内蒙古豪安能源科技有限公司
- 2022-12-28 - 2023-06-16 - C30B25/16
- 本实用新型公开了一种单晶生长装置，包括支撑腿、生长箱、加热器、固定台、挤压组件、控制组件和电磁排气阀，所述生长箱设于支撑腿上，所述加热器设于生长箱内部两侧，所述固定台设于生长箱内底壁中部，所述挤压组件设于生长箱上中部，所述挤压组件下端延伸至生长箱内且与固定台相对，所述电磁排气阀设于生长箱上顶壁一侧，所述控制组件设于生长箱上顶壁另一侧，所述挤压组件包括支撑架、正反转电机、支撑滑板、螺纹杆、压杆和压头。本实用新型涉及晶体生长装置技术领域，具体为一种操作便捷的单晶生长装置。
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