[发明专利]一种RGB器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310939583.3 | 申请日： | 2023-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116936705A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王思维;方士伟;葛明月 | 申请（专利权）人： | 星钥（珠海）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/06;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郑晓璇 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种RGB器件及其制备方法，该器件包括由多步刻蚀工艺依次连接的基底缓冲层、n型氮化镓层、多量子阱结构、p型氮化镓层和电极连接层；所述基底缓冲层通过隔离层与所述p型氮化镓层及多量子阱结构隔离；所述电极连接层在非连接位置通过隔离层与所述p型氮化镓层及基底缓冲层隔离，并通过隔离层与外部隔离；所述n型氮化镓层和p型氮化镓层均与所述多量子阱结构接触，以使n型氮化镓和p型氮化镓与多量子阱结构顶部或四周接触。本发明所制备的RGB器件，通过多步刻蚀工艺令n型氮化镓和p型氮化镓均与多量子阱结构接触，其顶部及四周均可发光，可以有效增加器件单位面积内可排布的像素点，有利于RGB器件进一步微型化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rgb 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明实施例公开了一种凹坑型PSS的重复利用方法、复合衬底及LED外延片。该凹坑型PSS的重复利用方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括基板以及形成在基板表面上的多个凸起微结构和多个凹坑，凹坑围绕凸起微结构；在图形化衬底上形成一层异质层；图案化异质层，形成多个异质图案结构，异质图案结构一一对应覆盖凸起微结构以及与凸起微结构相邻的凹坑。本发明实施例可以解决PSS产生凹坑后无法继续使用的问题，提高了产品的有效出货率，降低了制造成本。
- 半导体元件-202210805009.4
- 林俊宇;李俊毅;邱毅扬;张峻玮;陈怡名;吴长修;廖文禄;欧震;郑伟文 - 晶元光电股份有限公司
- 2022-07-08 - 2023-01-13 - H01L33/24
- 本发明公开一半导体元件，其包含有半导体叠层，半导体叠层包含一主动层、一第一半导体结构、一第二半导体结构、一第三半导体层、一介电层以及一位于第三半导体层下的反射层；第一半导体结构具有一第一表面，第一表面包含一第一部分以及一第二部分，且第一表面具有一第一面积，第三半导体层连接第一部分并具有一第二面积，介电层连接第二部分，且介电层具有多个开孔，多个开孔具有一第三面积；其中，第二面积对第一面积的比值介于0.1～0.7，且第三面积对第一面积的比值小于0.2。
- 用于减少的非辐射侧壁复合的LED结构-202211360590.X
- D·P·布尔;K·麦格罗迪;D·A·黑格尔;J·M·珀金斯;A·查克拉博蒂;J-J·P·德罗莱特;D·S·斯佐夫 - 苹果公司
- 2017-06-23 - 2023-01-03 - H01L33/24
- 本公开涉及用于减少的非辐射侧壁复合的LED结构。本发明公开了一种LED结构，其用于减少沿竖直LED的侧壁的非辐射侧壁复合，该竖直LED包括跨顶部电流扩展层、底部电流扩展层和顶部电流扩展层与底部电流扩展层之间的有源层的p‑n二极管侧壁。
- 微型发光二极管及其制备方法、转移方法-202211283230.4
- 秦志磊;吴政;王志远;李佳恩 - 厦门三安光电有限公司
- 2022-10-20 - 2022-12-30 - H01L33/24
- 本发明提供一种微型发光二极管及其制备方法、移转方法。微型发光二极管至少可包括：外延结构及设于外延结构上的连接电极和粗化部。外延结构具有相对的第一表面和第二表面，第一表面的纵向截面为平面，第二表面的纵向截面包括连续的第一部分、第二部分和第三部分,第一部分和第三部分朝向外延结构的发光区外侧的轮廓线呈曲面，第二部分为平面。连接电极位于外延结构的上方，且与外延结构电性连接。粗化区域于外延结构的下方，且位于第二表面远离第一表面一侧的部分表面。粗化部可作为外延结构的连接面或接触面，以与其它层级结构相连接。
- 专利分类
